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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děn一里地等于多少米，一里地等于多少米千米g)公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务一里地等于多少米，一里地等于多少米千米(wù)占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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