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武汉市初中排名表,武汉初中排名一览表前一百 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一(yī)则突发消息。

  美光公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

  据网(wǎng)信办消息(xī),日前,网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

  审查发现,美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患,对我国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)武汉市初中排名表,武汉初中排名一览表前一百络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查(chá),目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全,是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采(cǎi)购(gòu)!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全,防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险,维护国家安全,依据(jù)《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》,网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售的(de)产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头,也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57%降至2022年(nián)约(yuē)11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场份额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降,至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约,确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司在下游市(shì)场的供应优势,公(gōng)司(sī)也与(y武汉市初中排名表,武汉初中排名一览表前一百ǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合(hé)作。

  有券商此前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制,或将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子(zi)披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名(míng)单(dān),设备国产化进(jìn)程(chéng)加速(sù),看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄(báo)膜沉(chén)积(jī))等相关(guān)公司份额提升,以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等(děng)收入增(zēng)长。

 

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