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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险成都高新区属于哪个行政区划，成都高新区是哪个行政区(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi成都高新区属于哪个行政区划，成都高新区是哪个行政区)关键信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户成都高新区属于哪个行政区划，成都高新区是哪个行政区转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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