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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不(bù)予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律法规(g再续前缘的意思是什么，再续前缘的意思可以形容好朋友吗uī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美再续前缘的意思是什么，再续前缘的意思可以形容好朋友吗光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品再续前缘的意思是什么，再续前缘的意思可以形容好朋友吗g>

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。