大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì秋以为期句式特点，秋以为期句式判断)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大(dà)和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎn秋以为期句式特点，秋以为期句式判断g)江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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