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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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