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重庆自白书是什么意思,渣滓洞自白书是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发(fā)消息。

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  美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

  据网信办(bàn)消息(xī),日前,网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患,对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险,影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此,网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规,我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

  此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审(shěn)查,目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全,是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开(kāi)放,只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停(tíng)止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链安全,防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险,维护国家安全,依据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审查。

  半(bàn)导体突(tū)发!中(zhōng)国出(chū)手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一(yī),2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波(bō)龙(lóng)、佰重庆自白书是什么意思,渣滓洞自白书是什么意思维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降,至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约,确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性,巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制,或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士,国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来(lái)可(kě)能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽,催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单,设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉(chén)积(jī))等相关公司份(fèn)额提升,以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

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